Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Gain
- 12dB
- Max Power Dissipation
- 1.2W
- Ambalaj
- Bulk
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- Temel Parça No
- NE856
- Montaj
- Surface Mount
- Noise Figure Db Typ F
- 1.1dB @ 1GHz
- Pin Sayısı
- 4
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Polarity
- NPN
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Currentcollector Ic Max
- 100mA
- Emitter Base Voltage Vebo
- 3V
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Collector Base Voltage Vcbo
- 20V
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 12V
- Parça Durumu
- Obsolete
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Frequency Transition
- 6.5GHz
- Hfemin
- 250
- Transistor Type
- NPN
- Power Max
- 1.2W
- Element Configuration
- Single
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 50 @ 20mA 10V
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 12V
- Max Collector Current
- 100mA
- Continuous Collector Current
- 100mA
- Kılıf / Paket
- TO-243AA
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 12V
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- SOT-89
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 150°C
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -65°C
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors