+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
NE85639R-T1

CEL

NE85639R-T1

RF BJT Transistors

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Continuous Collector Current
100mA
Max Collector Current
100mA
Kılıf / Paket
SOT-143R
Highest Frequency Band
ULTRA HIGH FREQUENCY B
Case Connection
COLLECTOR
Polaritychannel Type
NPN
Transistor Type
NPN
Element Configuration
Single
Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
50 @ 20mA 10V
Collectorbase Capacitancemax
0.9pF
Qualification Status
Not Qualified
Max Breakdown Voltage
12V
ECCN Kodu
EAR99
Nem Hassasiyeti (MSL)
1 (Unlimited)
Transistor Application
AMPLIFIER
Collectoremitter Breakdown Voltage
12V
Transition Frequency
9000MHz
RoHS Durumu
Non-RoHS Compliant
Parça Durumu
Obsolete
Terminal Sayısı
4
Transistor Element Material
SILICON
Frequency Transition
9GHz
Gain
13.5dB
Max Power Dissipation
200mW
Terminal Pozisyonu
DUAL
Ambalaj
Cut Tape (CT)
Power Dissipation
200mW
Çalışma Sıcaklığı
150°C TJ
Montaj
Surface Mount
Temel Parça No
NE85639
Terminal Formu
GULL WING
Noise Figure Db Typ F
1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz
Number Of Elements
1
Pin Sayısı
4
Montaj Tipi
Surface Mount

İlgili Ürünler

  • Microsemi Corporation

    0204-125

    RF BJT Transistors
  • Microsemi Corporation

    0510-50A

    RF BJT Transistors
  • HARTING

    09022326834

    RF BJT Transistors
  • HARTING

    09023646919

    RF BJT Transistors
  • HARTING

    09030006246

    RF BJT Transistors
  • HARTING

    09030006247

    RF BJT Transistors
  • HARTING

    09031466903

    RF BJT Transistors
  • HARTING

    09032322850222

    RF BJT Transistors
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek