NE85633-T1B-A

Teknik Özellikler

Collector Base Voltage Vcbo

20V

Transistor Element Material

SILICON

Frekans

7GHz

Terminal Sayısı

3

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Currentcollector Ic Max

100mA

ECCN Kodu

EAR99

Temperature Coefficient

±50ppm/°C

Emitter Base Voltage Vebo

3V

Uzunluk

2.9 mm

Transistor Application

AMPLIFIER

Noise Figure Db Typ F

1.1dB @ 1GHz

Terminal Formu

GULL WING

Ratings

AEC-Q200

Temel Ürün No

RS73G1J

Polarity

NPN

Number Of Elements

1

Configuration

SINGLE

Max Power Dissipation

200mW

Gain

11.5dB

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Güç (Watt)

0.2W, 1/5W

Genişlik

1.5 mm

Tolerans

±0.1%

Continuous Collector Current

100 mA

Collector Emitter Voltage Vceo

12V

Maks. Oturma Yüksekliği

0.022 (0.55mm)

Akım Değeri

100 mA

Weight

1.437803 g

Max Breakdown Voltage

12 V

Output Power

200mW

Transistor Type

NPN

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

50 @ 20mA 10V

Boyut / Ölçü

0.063 L x 0.031 W (1.60mm x 0.80mm)

Transition Frequency

7000MHz

Direnç

1.27 kOhms

Ürün Durumu

Active

Collectoremitter Breakdown Voltage

12 V

Frequency Transition

7GHz

Pin Sayısı

3