Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- Ambalaj
- Bulk
- Max Power Dissipation
- 200mW
- Gain
- 11.5dB
- Polarity
- NPN
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Pin Sayısı
- 3
- Noise Figure Db Typ F
- 1.1dB @ 1GHz
- Montaj
- Surface Mount
- Temel Parça No
- NE85633
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Emitter Base Voltage Vebo
- 3V
- Currentcollector Ic Max
- 100mA
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Frequency Transition
- 7GHz
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Parça Durumu
- Obsolete
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 12V
- Collector Base Voltage Vcbo
- 20V
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 80 @ 20mA 10V
- Output Power
- 200mW
- Element Configuration
- Single
- Power Max
- 200mW
- Transistor Type
- NPN
- Weight
- 1.437803g
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 12V
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 150°C
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -65°C
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- SOT-23
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 12V
- Kılıf / Paket
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Continuous Collector Current
- 100mA
- Max Collector Current
- 100mA
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors