
Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Transistor Type
- NPN
- Power Max
- 200mW
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 50 @ 20mA 10V
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 12V
- Max Collector Current
- 100mA
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- SOT-23
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 12V
- Kılıf / Paket
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 150°C
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -65°C
- Gain
- 11.5dB
- Max Power Dissipation
- 200mW
- Ambalaj
- Bulk
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- Montaj
- Surface Mount
- Temel Parça No
- NE85633
- Noise Figure Db Typ F
- 1.1dB @ 1GHz
- Pin Sayısı
- 3
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Currentcollector Ic Max
- 100mA
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 12V
- Collector Base Voltage Vcbo
- 20V
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Parça Durumu
- Obsolete
- Frequency Transition
- 7GHz
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors

