Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Max Power Dissipation
- 200mW
- HTS Kodu
- 8541.21.00.75
- Gain
- 11.5dB
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- Power Dissipation
- 200mW
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Ambalaj
- Strip
- Noise Figure Db Typ F
- 1.1dB @ 1GHz
- Terminal Formu
- GULL WING
- Number Of Elements
- 1
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- ECCN Kodu
- EAR99
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G3
- Transistor Application
- AMPLIFIER
- Transition Frequency
- 7000MHz
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 12V
- Transistor Element Material
- SILICON
- Frequency Transition
- 7GHz
- Terminal Sayısı
- 3
- Pin Sayısı
- 3
- Parça Durumu
- Obsolete
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Element Configuration
- Single
- Transistor Type
- NPN
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 50 @ 20mA 10V
- Qualification Status
- Not Qualified
- Collectorbase Capacitancemax
- 1pF
- Max Collector Current
- 100mA
- Continuous Collector Current
- 100mA
- Kılıf / Paket
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Highest Frequency Band
- ULTRA HIGH FREQUENCY B
- Yüzey Montaj
- YES
- Polaritychannel Type
- NPN
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors