+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
NE85619-A

CEL

NE85619-A

RF BJT Transistors

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Temel Parça No
NE85619
Montaj
Surface Mount
Noise Figure Db Typ F
1.2dB @ 1GHz
Pin Sayısı
3
Montaj Tipi
Surface Mount
Gain
9dB
Max Power Dissipation
100mW
Ambalaj
Bulk
Çalışma Sıcaklığı
150°C TJ
Power Dissipation
100mW
Collector Base Voltage Vcbo
20V
Collectoremitter Breakdown Voltage
12V
Parça Durumu
Obsolete
RoHS Durumu
RoHS Compliant
Frequency Transition
4.5GHz
Nem Hassasiyeti (MSL)
1 (Unlimited)
Emitter Base Voltage Vebo
3V
Radyasyon Dayanımı
No
Hfemin
80
Transistor Type
NPN
Element Configuration
Single
Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
80 @ 7mA 3V
Max Collector Current
100mA
Continuous Collector Current
100mA
Kılıf / Paket
SOT-523
Collector Emitter Voltage Vceo
12V

İlgili Ürünler

  • Microsemi Corporation

    0204-125

    RF BJT Transistors
  • Microsemi Corporation

    0510-50A

    RF BJT Transistors
  • HARTING

    09022326834

    RF BJT Transistors
  • HARTING

    09023646919

    RF BJT Transistors
  • HARTING

    09030006246

    RF BJT Transistors
  • HARTING

    09030006247

    RF BJT Transistors
  • HARTING

    09031466903

    RF BJT Transistors
  • HARTING

    09032322850222

    RF BJT Transistors
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek