Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Max Breakdown Voltage
- 6V
- Output Power
- 125mW
- Element Configuration
- Single
- Transistor Type
- NPN
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 80 @ 3mA 1V
- Terminal Kaplaması
- Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- Continuous Collector Current
- 100mA
- Max Collector Current
- 100mA
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 150°C
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -65°C
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 6V
- Kılıf / Paket
- SOT-523
- Noise Figure Db Typ F
- 1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz
- Montaj
- Surface Mount
- Temel Parça No
- NE68819
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Number Of Elements
- 1
- Pin Sayısı
- 3
- Max Power Dissipation
- 125mW
- JESD-609 Kodu
- e6
- Gain
- 4 dB
- Power Dissipation
- 125mW
- Ambalaj
- Cut Tape (CT)
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 6V
- Collector Base Voltage Vcbo
- 9V
- Frequency Transition
- 5GHz
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Parça Durumu
- Obsolete
- Frekans
- 1GHz
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Emitter Base Voltage Vebo
- 2V
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors