Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 75 @ 10mA 3V
- Transistor Type
- NPN
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 6V
- Kılıf / Paket
- TO-253-4, TO-253AA
- Max Collector Current
- 30mA
- Continuous Collector Current
- 30mA
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- Power Dissipation
- 180mW
- Ambalaj
- Bulk
- Max Power Dissipation
- 180mW
- Gain
- 11dB
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Gain Bandwidth Product
- 12 GHz
- Pin Sayısı
- 4
- Number Of Elements
- 1
- Noise Figure Db Typ F
- 1.5dB @ 2GHz
- Montaj
- Surface Mount
- Emitter Base Voltage Vebo
- 2V
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Parça Durumu
- Obsolete
- Frekans
- 12GHz
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Collector Base Voltage Vcbo
- 9V
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 6V
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors