NE68139-T1-A

Teknik Özellikler

Power Max

200mW

Element Configuration

Single

Transistor Type

NPN

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

50 @ 20mA 8V

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

10V

Max Breakdown Voltage

10V

Max Collector Current

65mA

Continuous Collector Current

65mA

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Kılıf / Paket

TO-253-4, TO-253AA

Collector Emitter Voltage Vceo

10V

Tedarikçi Cihaz Paketi

SOT-143

Max Power Dissipation

200mW

Gain

13.5dB

Seri

*

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Power Dissipation

200mW

Paket

Retail Package

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Noise Figure Db Typ F

1.2dB @ 1GHz

Temel Parça No

NE68139

Montaj

Surface Mount

Montaj Tipi

Surface Mount

Polarity

NPN

Pin Sayısı

4

Number Of Elements

1

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Currentcollector Ic Max

65mA

Emitter Base Voltage Vebo

1.5V

Max Frequency

9GHz

Radyasyon Dayanımı

No

Collector Base Voltage Vcbo

20V

Collectoremitter Breakdown Voltage

10V

Ürün Durumu

Active

Frequency Transition

9GHz

Parça Durumu

Obsolete

Frekans

9GHz

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Kurşunsuz

Lead Free