Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- Power Dissipation
- 200mW
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Ambalaj
- Cut Tape (CT)
- Max Power Dissipation
- 200mW
- Gain
- 13.5dB
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Pin Sayısı
- 4
- Number Of Elements
- 1
- Terminal Formu
- GULL WING
- Noise Figure Db Typ F
- 1.2dB ~ 2dB @ 1GHz
- Temel Parça No
- NE68139
- Montaj
- Surface Mount
- Transistor Application
- AMPLIFIER
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- ECCN Kodu
- EAR99
- Transistor Element Material
- SILICON
- Frequency Transition
- 9GHz
- Parça Durumu
- Obsolete
- Terminal Sayısı
- 4
- RoHS Durumu
- Non-RoHS Compliant
- Transition Frequency
- 9000MHz
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 10V
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 50 @ 7mA 3V
- Additional Feature
- LOW NOISE
- Element Configuration
- Single
- Transistor Type
- NPN
- Max Breakdown Voltage
- 10V
- Qualification Status
- Not Qualified
- Collectorbase Capacitancemax
- 0.8pF
- Kılıf / Paket
- TO-253-4, TO-253AA
- Max Collector Current
- 65mA
- Continuous Collector Current
- 65mA
- Polaritychannel Type
- NPN
- Case Connection
- COLLECTOR
- Highest Frequency Band
- ULTRA HIGH FREQUENCY B
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors