Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Max Collector Current
- 35mA
- Kılıf / Paket
- SOT-523
- Highest Frequency Band
- L B
- Polaritychannel Type
- NPN
- Power Max
- 100mW
- Transistor Type
- NPN
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 80 @ 5mA 3V
- Additional Feature
- LOW NOISE
- Collectorbase Capacitancemax
- 0.7pF
- Qualification Status
- Not Qualified
- Max Breakdown Voltage
- 10V
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- ECCN Kodu
- EAR99
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G3
- Transistor Application
- AMPLIFIER
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 10V
- Transition Frequency
- 10000MHz
- Frequency Transition
- 10GHz
- Transistor Element Material
- SILICON
- RoHS Durumu
- Non-RoHS Compliant
- Terminal Sayısı
- 3
- Parça Durumu
- Obsolete
- HTS Kodu
- 8541.21.00.75
- Max Power Dissipation
- 100mW
- Configuration
- SINGLE
- Gain
- 9.6dB ~ 13.5dB
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- Ambalaj
- Cut Tape (CT)
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Noise Figure Db Typ F
- 1.7dB ~ 1.9dB @ 1GHz ~ 2GHz
- Terminal Formu
- GULL WING
- Montaj
- Surface Mount
- Temel Parça No
- NE68019
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Number Of Elements
- 1
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors