+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
NE66219-A

CEL

NE66219-A

RF BJT Transistors

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Element Configuration
Single
Transistor Type
NPN
Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
60 @ 5mA 2V
Max Collector Current
35mA
Continuous Collector Current
35mA
Kılıf / Paket
SOT-523
Collector Emitter Voltage Vceo
3.3V
Max Power Dissipation
115mW
Gain
14dB
Çalışma Sıcaklığı
150°C TJ
Power Dissipation
115mW
Ambalaj
Bulk
Noise Figure Db Typ F
1.2dB @ 2GHz
Montaj
Surface Mount
Montaj Tipi
Surface Mount
Pin Sayısı
3
Number Of Elements
1
Nem Hassasiyeti (MSL)
1 (Unlimited)
Emitter Base Voltage Vebo
1.5V
Radyasyon Dayanımı
No
Collector Base Voltage Vcbo
15V
Collectoremitter Breakdown Voltage
3.3V
Parça Durumu
Obsolete
Frekans
21GHz
RoHS Durumu
RoHS Compliant

İlgili Ürünler

  • Microsemi Corporation

    0204-125

    RF BJT Transistors
  • Microsemi Corporation

    0510-50A

    RF BJT Transistors
  • HARTING

    09022326834

    RF BJT Transistors
  • HARTING

    09023646919

    RF BJT Transistors
  • HARTING

    09030006246

    RF BJT Transistors
  • HARTING

    09030006247

    RF BJT Transistors
  • HARTING

    09031466903

    RF BJT Transistors
  • HARTING

    09032322850222

    RF BJT Transistors
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek