NE5511279A-T1-A

Teknik Özellikler

ECCN Kodu

EAR99

Drain Currentmax Abs Id

3A

Continuous Drain Current Id

3A

Maks. Çalışma Sıcaklığı

125°C

Transistor Application

AMPLIFIER

Parça Durumu

Obsolete

Terminal Pozisyonu

QUAD

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Akım Değeri

79A

Max Power Dissipation

20W

Temel Parça No

NE55112

Transistor Type

LDMOS

Min Breakdown Voltage

20V

Element Configuration

Single

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Power Dissipation

20W

Number Of Elements

1

Terminal Sayısı

4

Max Output Power

10W

Kurşunsuz

Lead Free

Radyasyon Dayanımı

No

Case Connection

SOURCE

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Pin Sayısı

4

Current Test

400mA

Drain To Source Voltage Vdss

7.5V

Montaj

Surface Mount

Gain

15dB

Voltage Rated Dc

7.5V

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Pin Sayısı

4

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Frekans

900MHz

Power Output

40dBm

Gate To Source Voltage Vgs

6V

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Drain To Source Breakdown Voltage

20V

Kılıf / Paket

4-SMD, Flat Leads

Ambalaj

Cut Tape (CT)