Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Ambalaj
- Bulk
- Drain To Source Breakdown Voltage
- 4V
- Kılıf / Paket
- 4-SMD, Flat Leads
- Gate To Source Voltage Vgs
- -3V
- Power Dissipation
- 165mW
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Frekans
- 12GHz
- Pin Sayısı
- 4
- Transistor Type
- HFET
- Temel Parça No
- NE3512
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -65°C
- Montaj
- Surface Mount
- Gain
- 13.5dB
- Parça Durumu
- Obsolete
- Current Test
- 10mA
- Nominal Gerilim
- 4V
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 125°C
- Noise Figure
- 0.35dB
- Voltage Test
- 2V
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Continuous Drain Current Id
- 70mA
İlgili Ürünler
Microchip
0105-50
RF MOSFETs Transistors
Microchip
0405SC-1000M
RF MOSFETs Transistors
Microsemi
0405SC-100M
RF MOSFETs Transistors
Microchip
0405SC-1500M
RF MOSFETs Transistors
Microchip Technology
0912GN-100LV
RF MOSFETs Transistors
Microchip Technology
0912GN-15E
RF MOSFETs Transistors
Microchip Technology
0912GN-15EL
RF MOSFETs Transistors
Microchip Technology
0912GN-15EP
RF MOSFETs Transistors