Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Transistor Type
- HFET
- Power Dissipation
- 125mW
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Voltage Test
- 2V
- Continuous Drain Current Id
- 120mA
- Parça Durumu
- Obsolete
- Nominal Gerilim
- 4V
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- F4TSMM, M04
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 150°C
- Power Output
- 18dBm
- Frekans
- 2GHz
- Pin Sayısı
- 4
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -65°C
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Drain To Source Breakdown Voltage
- 2V
- Kılıf / Paket
- SOT-343F
- Gate To Source Voltage Vgs
- -3V
- Current Rating Amps
- 120mA
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Montaj
- Surface Mount
- Gain
- 14dB
- Current Test
- 10mA
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Noise Figure
- 0.45dB
İlgili Ürünler
Microchip
0105-50
RF MOSFETs Transistors
Microchip
0405SC-1000M
RF MOSFETs Transistors
Microsemi
0405SC-100M
RF MOSFETs Transistors
Microchip
0405SC-1500M
RF MOSFETs Transistors
Microchip Technology
0912GN-100LV
RF MOSFETs Transistors
Microchip Technology
0912GN-15E
RF MOSFETs Transistors
Microchip Technology
0912GN-15EL
RF MOSFETs Transistors
Microchip Technology
0912GN-15EP
RF MOSFETs Transistors