Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 10V
- Currentcollector Ic Max
- 65mA
- Transistor Type
- NPN
- Max Collector Current
- 65mA
- Parça Durumu
- Obsolete
- Montaj
- Surface Mount
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- Ambalaj
- Strip
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 10V
- Max Power Dissipation
- 200mW
- Noise Figure Db Typ F
- 1.2dB @ 1GHz
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Frequency Transition
- 9GHz
- Power Max
- 200mW
- Gain
- 17dB ~ 23dB
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 50 @ 20mA 8V
- Kılıf / Paket
- TO-253-4, TO-253AA
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors