Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Jesd30 Code
- R-MDFM-F2
- Highest Frequency Band
- S B
- Ambalaj
- Bulk
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Polaritychannel Type
- NPN
- HTS Kodu
- 8541.29.00.75
- Transistor Element Material
- SILICON
- Yüzey Montaj
- YES
- Qualification Status
- Not Qualified
- Additional Feature
- HIGH RELIABILITY; WITH EMITTER BALLASTING RESISTOR
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 20V
- Çalışma Sıcaklığı
- 200°C TJ
- Terminal Formu
- FLAT
- Yayın Yılı
- 2008
- Transistor Type
- NPN
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Power Dissipationmax Abs
- 3W
- Currentcollector Ic Max
- 200mA
- Transistor Application
- AMPLIFIER
- Number Of Elements
- 1
- ECCN Kodu
- EAR99
- Configuration
- SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
- Power Max
- 3W
- Kılıf / Paket
- 4-SMD (230 mil BeO)
- Case Connection
- ISOLATED
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Parça Durumu
- Obsolete
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 20 @ 110mA 8V
- REACH Uyumluluk Kodu
- compliant
- Terminal Sayısı
- 2
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors