Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Transistor Type
- NPN
- Yayın Yılı
- 2009
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 12V
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 12V
- Çalışma Sıcaklığı
- 200°C TJ
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Noise Figure Db Typ F
- 1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz
- Transistor Element Material
- SILICON
- Polaritychannel Type
- NPN
- Terminal Pozisyonu
- UPPER
- Ambalaj
- Tray
- Montaj
- Surface Mount
- Terminal Sayısı
- 2
- Max Power Dissipation
- 500mW
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Gain
- 8dB ~ 17dB
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 30 @ 10mA 8V
- Max Collector Current
- 60mA
- Collector Base Voltage Vcbo
- 20V
- Pin Sayısı
- 2
- Parça Durumu
- Obsolete
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Gain Bandwidth Product
- 8 GHz
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Kılıf / Paket
- Die
- Continuous Collector Current
- 60mA
- Configuration
- SINGLE
- Emitter Base Voltage Vebo
- 1.5V
- ECCN Kodu
- EAR99
- Number Of Elements
- 1
- Transistor Application
- AMPLIFIER
- Frekans
- 8GHz
- Power Dissipation
- 500mW
- Transition Frequency
- 8000MHz
İlgili Ürünler
Stokta
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Stokta
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
Stokta
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
Stokta
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
Stokta
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
Stokta
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
Stokta
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
Stokta
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors