4N35-W60E

Teknik Özellikler

Rise Fall Time Typ

3μs 3μs

Current Transfer Ratio

100%

Çıkış Tipi

Transistor with Base

ECCN Kodu

EAR99

Optoelectronic Device Type

TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~100°C

Current Transfer Ratiomin

100% @ 10mA

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Rise Time

10μs

Output Current

100mA

Output Voltage

30V

Ambalaj

Tube

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Max Power Dissipation

350mW

Max Input Current

60mA

Input Current

10mA

Radyasyon Dayanımı

No

Reverse Breakdown Voltage

6V

Voltage Isolation

3550Vrms

Yayın Yılı

2007

Parça Durumu

Active

Output Current Per Channel

100mA

Montaj

Through Hole

Giriş Tipi

DC

Dark Currentmax

500000nA

Fabrika Tedarik Süresi

17 Weeks

Fall Time Typ

10 μs

Pin Sayısı

6

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Kurşunsuz

Lead Free

Temel Parça No

4N35

Number Of Elements

1

Power Dissipation

350mW

Max Output Voltage

30V

Configuration

SINGLE

Max Collector Current

100mA

Montaj Tipi

Through Hole

Kılıf / Paket

6-DIP (0.400, 10.16mm)

Forward Current

60mA

Collectoremitter Saturation Voltage

300mV