BD649-S

Teknik Özellikler

Pin Sayısı

3

Yükseklik

9.3mm

Power Max

2W

Transistor Type

NPN - Darlington

Terminal Sayısı

3

Transistor Element Material

SILICON

ECCN Kodu

EAR99

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Collector Emitter Voltage Vceo

100V

Terminal Kaplaması

TIN SILVER COPPER

Montaj Tipi

Through Hole

Collector Base Voltage Vcbo

120V

Number Of Elements

1

Ambalaj

Tube

Genişlik

4.7mm

Case Connection

COLLECTOR

Temel Parça No

BD649

Parça Durumu

Obsolete

Polarity

NPN

Vce Saturation Max Ib Ic

2.5V @ 50mA, 5A

Yayın Yılı

1993

Pin Sayısı

3

Radyasyon Dayanımı

No

Current Collector Cutoff Max

500μA

JESD-609 Kodu

e1

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

750 @ 3A 3V

Hfemin

750

Montaj

Through Hole

Collectoremitter Saturation Voltage

2V

Max Collector Current

8A

Collectoremitter Breakdown Voltage

100V

Uzunluk

10.4mm

Jedec95 Code

TO-220AB

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Element Configuration

Single

Çalışma Sıcaklığı

-65°C~150°C TJ

Kılıf / Paket

TO-220-3

Power Dissipation

62.5W

Max Power Dissipation

2W

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant