OPB355P

Teknik Özellikler

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40 °C

Pin Sayısı

4

Ambalaj

Bulk

Sensing Method

Through-Beam

RoHS

Compliant

Power Dissipation

100 mW

Yayın Yılı

2006

Parça Durumu

Obsolete

Algılama Mesafesi

3.18 mm

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~85°C

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Wavelength

890 nm

Output Configuration

Phototransistor

Reverse Voltage

2 V

Maks. Çalışma Sıcaklığı

85 °C

Forward Current

50 mA

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Montaj Tipi

Through Hole