Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Montaj Stili
- Through Hole
- Maximum Dc Collector Current
- 2 A
- Ambalaj
- Bulk
- Dc Current Gain Hfe Max
- 200 at 2.5 A, 5 VDC
- Collector Emitter Voltage Vceo Max
- 80 V
- Transistor Polarity
- NPN
- Configuration
- Single
- Minimum Operating Temperature
- - 65 C
- Emitter Base Voltage Vebo
- 5.5 V
- RoHS
- N
- Fabrika Paket Adedi
- 1
- Collector Base Voltage Vcbo
- 100 V
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- + 200 C
- Kılıf / Paket
- TO-39-3
- Pd Power Dissipation
- 1 W
- Collectoremitter Saturation Voltage
- 750 mV
- Birim Ağırlık
- 0.241715 oz
- Dc Collectorbase Gain Hfe Min
- 70 at 2.5 A, 5 VDC
İlgili Ürünler
ON Semiconductor
12A02CH-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
12A02MH-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
15C01C-TB-E
Single BJT Transistors
Sanyo
15C01M-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
15C01SS-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
15C02CH-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
15C02MH-TL-E
Single BJT Transistors
Microchip Technology
2C2222A
Single BJT Transistors

