Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Collector Emitter Voltage Vceo Max
- 60 V
- Dc Collectorbase Gain Hfe Min
- 75
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- + 200 C
- Collector Base Voltage Vcbo
- 60 V
- Pd Power Dissipation
- 800 mW
- Transistor Polarity
- PNP
- Configuration
- Single
- RoHS
- Details
- Kılıf / Paket
- TO-39-3
- Birim Ağırlık
- 0.035274 oz
- Montaj Stili
- Through Hole
- Fabrika Paket Adedi
- 1
- Minimum Operating Temperature
- - 65 C
- Continuous Collector Current
- 600 mA
- Emitter Base Voltage Vebo
- 5 V
- Maximum Dc Collector Current
- 600 mA
- Collectoremitter Saturation Voltage
- 400 mV
İlgili Ürünler
ON Semiconductor
12A02CH-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
12A02MH-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
15C01C-TB-E
Single BJT Transistors
Sanyo
15C01M-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
15C01SS-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
15C02CH-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
15C02MH-TL-E
Single BJT Transistors
Microchip Technology
2C2222A
Single BJT Transistors