MUN5313DW1T1G

Teknik Özellikler

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Resistor Base R1

47k Ω

Transistor Application

SWITCHING

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Reach Svhc

No SVHC

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Radyasyon Dayanımı

No

Max Power Dissipation

250mW

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Element Configuration

Dual

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 1

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 300μA, 10mA

Kurşunsuz Kodu

yes

Pin Sayısı

6

Voltage Rated Dc

50V

Configuration

Dual

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Kurşunsuz

Lead Free

Resistor Emitter Base R2

47k Ω

Emittercollector Voltage Max

50(V)

Terminal Formu

GULL WING

Polarity

NPN, PNP

Number Of Elements

2

Parça Durumu

Active

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

Dc Current Gain

80

Ambalaj

Tape and Reel

Current Collector Cutoff Max

500nA

Max Breakdown Voltage

50V

Terminal Sayısı

6

Max Collector Current

100mA

Yayın Yılı

2004

Pin Sayısı

6

ECCN Kodu

EAR99

Temel Parça No

MUN53**DW1

Tip

NPN/PNP

Contact Plating

Tin

Transistor Type

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Continuous Collector Current

100mA