MMUN2213LT1G

Teknik Özellikler

Resistor Base R1

47 k Ω

Number Of Elements

1

Yükseklik

940μm

Resistor Emitter Base R2

47 k Ω

Temel Parça No

MMUN22**L

Reach Svhc

No SVHC

Terminal Pozisyonu

DUAL

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Max Breakdown Voltage

50V

Genişlik

1.3mm

Max Output Current

100mA

Max Collector Current

100mA

Pin Sayısı

3

JESD-609 Kodu

e3

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

80 @ 5mA 10V

Radyasyon Dayanımı

No

Max Power Dissipation

246mW

Yüzey Montaj

YES

Transistor Application

SWITCHING

ECCN Kodu

EAR99

Kurşunsuz Kodu

yes

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Hfemin

80

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

Akım Değeri

100mA

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Contact Plating

Tin

Transistor Type

NPN - Pre-Biased

Terminal Formu

GULL WING

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 300μA, 10mA

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Voltage Rated Dc

50V

Uzunluk

2.9mm

Seri

*

Montaj Tipi

Surface Mount

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Pin Sayısı

3

Collectoremitter Saturation Voltage

250mV

Power Dissipation

246mW

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40