FDS4935BZ

Teknik Özellikler

Current Continuous Drain Id25

6.9A

Yükseklik

1.75mm

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Direnç

22MOhm

Threshold Voltage

-1.9V

Transistor Element Material

SILICON

Yayın Yılı

2006

Terminal Formu

GULL WING

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Transistor Application

SWITCHING

Radyasyon Dayanımı

No

Genişlik

4mm

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Parça Durumu

Active

Weight

187mg

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Nominal Vgs

1.9 V

JESD-609 Kodu

e3

Turn Off Delay Time

68 ns

Input Capacitance Ciss Max Vds

1360pF @ 15V

Terminal

SMD/SMT

Akım Değeri

-6.9A

Fet Type

2 P-Channel (Dual)

ECCN Kodu

EAR99

Continuous Drain Current Id

-6.9A

Gate To Source Voltage Vgs

25V

Fall Time Typ

13 ns

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

Fet Feature

Logic Level Gate

Rise Time

13ns

Voltage Rated Dc

-30V

Ürün Durumu

Active

Uzunluk

5mm

Vgsth Max Id

3V @ 250μA

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Number Of Elements

2

Power Max

900mW

Element Configuration

Dual