MAT03FHZ

Teknik Özellikler

Radyasyon Dayanımı

No

Kılıf / Paket

TO-78-6 Metal Can

Transistor Type

2 PNP (Dual)

Collectoremitter Breakdown Voltage

36V

Currentcollector Ic Max

20mA

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Dc Current Gainmin Hfe

80

Transistor Element Material

SILICON

JESD-609 Kodu

e4

Terminal Formu

WIRE

Montaj Tipi

Through Hole

Power Dissipation

500mW

Yükseklik

4.7mm

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Pin Sayısı

6

Vce Saturation Max Ib Ic

100mV @ 100μA, 1mA

Genişlik

9.4mm

Parça Durumu

Obsolete

Collectoremitter Saturation Voltage

25mV

Montaj

Through Hole

Terminal Sayısı

6

Kurşunsuz Kodu

no

Max Collector Current

20mA

Polarity

PNP

Hfemin

40

Transistor Application

AMPLIFIER

Kurşunsuz

Contains Lead

Element Configuration

Dual

Max Power Dissipation

500mW

Ambalaj

Tube

Collector Base Voltage Vcbo

36V

Pin Sayısı

6

Uzunluk

9.4mm

Gain Bandwidth Product

190MHz

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Vcesatmax

0.1 V

Collector Emitter Voltage Vceo

36V

Number Of Elements

2

ECCN Kodu

EAR99