MAT03FH

Teknik Özellikler

JESD-609 Kodu

e0

Transistor Element Material

SILICON

Akım Değeri

-20mA

Terminal Formu

WIRE

Power Max

500mW

Dc Current Gainmin Hfe

80

Frequency Transition

190MHz

Collectoremitter Breakdown Voltage

36V

Transistor Type

2 PNP (Dual)

Reach Svhc

Unknown

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Kılıf / Paket

TO-78-6 Metal Can

Radyasyon Dayanımı

No

Montaj

Through Hole

Parça Durumu

Obsolete

Vce Saturation Max Ib Ic

100mV @ 100μA, 1mA

Pin Sayısı

6

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Voltage Rated Dc

-36V

Montaj Tipi

Through Hole

Max Power Dissipation

500mW

Element Configuration

Dual

Kurşunsuz

Contains Lead

Collector Base Voltage Vcbo

36V

Ambalaj

Tube

Transistor Application

AMPLIFIER

Polarity

PNP

Kurşunsuz Kodu

no

Terminal Sayısı

6

Max Collector Current

20mA

Transition Frequency

190MHz

Temel Parça No

MAT03

Number Of Elements

2

ECCN Kodu

EAR99

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Vcesatmax

0.1 V

Collector Emitter Voltage Vceo

36V

Pin Sayısı

6