Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Çalışma Sıcaklığı
- -55°C~150°C TJ
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 36V
- Transistor Type
- 2 PNP (Dual)
- Kılıf / Paket
- TO-78-6 Metal Can
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Terminal Formu
- WIRE
- Transistor Element Material
- SILICON
- JESD-609 Kodu
- e4
- Frequency Transition
- 190MHz
- Dc Current Gainmin Hfe
- 100
- Pin Sayısı
- 6
- Max Frequency
- 10kHz
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Yükseklik
- 4.7mm
- Power Dissipation
- 500mW
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Montaj
- Through Hole
- Collectoremitter Saturation Voltage
- 100mV
- Parça Durumu
- Obsolete
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 100mV @ 100μA, 1mA
- Polarity
- PNP
- Max Collector Current
- 20mA
- Çap
- 9.4mm
- Contact Plating
- Gold
- Terminal Sayısı
- 6
- Kurşunsuz Kodu
- no
- Collector Base Voltage Vcbo
- 36V
- Ambalaj
- Tube
- Max Power Dissipation
- 500mW
- Element Configuration
- Dual
- Kurşunsuz
- Contains Lead
- Transistor Application
- AMPLIFIER
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 36V
- Vcesatmax
- 0.1 V
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Pin Sayısı
- 6
- Transition Frequency
- 190MHz
- Temel Parça No
- MAT03
- ECCN Kodu
- EAR99
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors