MAT03EH

Teknik Özellikler

Montaj

Through Hole

Vce Saturation Max Ib Ic

100mV @ 100μA, 1mA

Parça Durumu

Obsolete

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Pin Sayısı

6

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Voltage Rated Dc

-36V

Montaj Tipi

Through Hole

Transistor Element Material

SILICON

JESD-609 Kodu

e0

Terminal Formu

WIRE

Akım Değeri

-20mA

Power Max

500mW

Dc Current Gainmin Hfe

100

Frequency Transition

190MHz

Transistor Type

2 PNP (Dual)

Collectoremitter Breakdown Voltage

36V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Radyasyon Dayanımı

No

Kılıf / Paket

TO-78-6 Metal Can

Temel Parça No

MAT03

Transition Frequency

190MHz

Number Of Elements

2

ECCN Kodu

EAR99

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Collector Emitter Voltage Vceo

36V

Vcesatmax

0.1 V

Pin Sayısı

6

Kurşunsuz

Contains Lead

Max Power Dissipation

500mW

Element Configuration

Dual

Ambalaj

Tube

Collector Base Voltage Vcbo

36V

Transistor Application

AMPLIFIER

Polarity

PNP

Terminal Sayısı

6

Kurşunsuz Kodu

no

Max Collector Current

20mA