Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Jesd30 Code
- R-PDFP-F4
- Terminal Sayısı
- 4
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Terminal Formu
- FLAT
- Fabrika Tedarik Süresi
- 13 Weeks
- Fet Technology
- METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Polaritychannel Type
- N-CHANNEL
- ECCN Kodu
- EAR99
- Gain
- 20dB
- Ds Breakdown Voltagemin
- 65V
- Voltage Test
- 28V
- Nominal Gerilim
- 65V
- Yayın Yılı
- 2010
- Configuration
- COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
- Parça Durumu
- Active
- Power Output
- 160W
- Transistor Type
- LDMOS (Dual), Common Source
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Transistor Application
- AMPLIFIER
- Operating Mode
- ENHANCEMENT MODE
- Reference Standard
- IEC-60134
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Number Of Elements
- 2
- Transistor Element Material
- SILICON
- Current Test
- 100mA
- Frekans
- 860MHz
- Yüzey Montaj
- YES
- Kılıf / Paket
- SOT-1223-1
İlgili Ürünler
Microchip
0105-50
RF MOSFETs Transistors
Microchip
0405SC-1000M
RF MOSFETs Transistors
Microsemi
0405SC-100M
RF MOSFETs Transistors
Microchip
0405SC-1500M
RF MOSFETs Transistors
Microchip Technology
0912GN-100LV
RF MOSFETs Transistors
Microchip Technology
0912GN-15E
RF MOSFETs Transistors
Microchip Technology
0912GN-15EL
RF MOSFETs Transistors
Microchip Technology
0912GN-15EP
RF MOSFETs Transistors