BLL6H1214-500,112

Teknik Özellikler

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Parça Durumu

Not For New Designs

Ambalaj

Tray

Number Of Elements

2

Gain

17dB

Frekans

1.2GHz~1.4GHz

Terminal Formu

FLAT

Yayın Yılı

2011

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Nominal Gerilim

100V

Transistor Application

AMPLIFIER

Transistor Type

LDMOS (Dual), Common Source

Current Test

150mA

Configuration

COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS

Jesd30 Code

R-CDFM-F4

Power Output

500W

ECCN Kodu

EAR99

Voltage Test

50V

Yüzey Montaj

YES

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Ds Breakdown Voltagemin

100V

Reference Standard

IEC-60134

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

Transistor Element Material

SILICON

REACH Uyumluluk Kodu

unknown

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Drain Currentmax Abs Id

45A

Terminal Sayısı

4

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Kılıf / Paket

SOT539A

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Temel Parça No

BLL6H1214