Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Ds Breakdown Voltagemin
- 110V
- Yüzey Montaj
- YES
- Ambalaj
- Tray
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Number Of Elements
- 2
- Fet Technology
- METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Frekans
- 860MHz
- Jesd30 Code
- R-CDFP-F4
- Transistor Element Material
- SILICON
- Nominal Gerilim
- 110V
- Transistor Type
- LDMOS (Dual), Common Source
- Yayın Yılı
- 2011
- Kılıf / Paket
- SOT539B
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Voltage Test
- 50V
- Operating Mode
- ENHANCEMENT MODE
- Parça Durumu
- Obsolete
- ECCN Kodu
- EAR99
- Power Output
- 250W
- Transistor Application
- AMPLIFIER
- RoHS Durumu
- Non-RoHS Compliant
- REACH Uyumluluk Kodu
- unknown
- Terminal Formu
- FLAT
- Gain
- 20.8dB
- Terminal Sayısı
- 4
- Fabrika Tedarik Süresi
- 13 Weeks
- Reference Standard
- IEC-60134
- Configuration
- COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Current Test
- 1.3A
- Polaritychannel Type
- N-CHANNEL
İlgili Ürünler
Microchip
0105-50
RF MOSFETs Transistors
Microchip
0405SC-1000M
RF MOSFETs Transistors
Microsemi
0405SC-100M
RF MOSFETs Transistors
Microchip
0405SC-1500M
RF MOSFETs Transistors
Microchip Technology
0912GN-100LV
RF MOSFETs Transistors
Microchip Technology
0912GN-15E
RF MOSFETs Transistors
Microchip Technology
0912GN-15EL
RF MOSFETs Transistors
Microchip Technology
0912GN-15EP
RF MOSFETs Transistors