BLF8G27LS-140V,112

Teknik Özellikler

Yüzey Montaj

YES

Ambalaj

Tray

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Ds Breakdown Voltagemin

65V

Number Of Elements

1

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Frekans

2.63GHz~2.69GHz

Temel Parça No

BLF8G27

Nominal Gerilim

65V

Transistor Element Material

SILICON

Jesd30 Code

R-CQFP-X6

Yayın Yılı

2011

Transistor Type

LDMOS

Kılıf / Paket

SOT-1120B

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Voltage Test

32V

REACH Uyumluluk Kodu

unknown

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Transistor Application

AMPLIFIER

ECCN Kodu

EAR99

Power Output

45W

Parça Durumu

Obsolete

Gain

17.4dB

Usage Level

Military grade

Terminal Formu

UNSPECIFIED

Configuration

SINGLE

Reference Standard

IEC-60134

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

Terminal Sayısı

6

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Current Test

1.3A

Case Connection

SOURCE

Terminal Pozisyonu

QUAD

Polaritychannel Type

N-CHANNEL