BLA6G1011L-200RG,1

Teknik Özellikler

Drain Currentmax Abs Id

49A

Ambalaj

Tray

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Yüzey Montaj

YES

REACH Uyumluluk Kodu

unknown

Jesd30 Code

R-CDFM-F2

Number Of Elements

1

Frekans

1.03GHz~1.09GHz

Transistor Application

AMPLIFIER

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Terminal Formu

FLAT

Transistor Element Material

SILICON

Temel Parça No

BLA6G1011

Transistor Type

LDMOS

Yayın Yılı

2011

Kılıf / Paket

SOT-502D

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Parça Durumu

Not For New Designs

Gain

20dB

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Fabrika Tedarik Süresi

13 Weeks

Current Test

100mA

ECCN Kodu

EAR99

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Case Connection

SOURCE

Voltage Test

28V

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Configuration

SINGLE

Reference Standard

IEC-60134

Ds Breakdown Voltagemin

65V

Power Output

200W

Nominal Gerilim

65V

Current Rating Amps

49A

Terminal Sayısı

2

Terminal Pozisyonu

DUAL