AO9926C

Teknik Özellikler

Kurşunsuz

Lead Free

Max Power Dissipation

2W

JESD-609 Kodu

e3

Pin Sayısı

8

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Pin Sayısı

8

Transistor Element Material

SILICON

Terminal Formu

GULL WING

Fet Feature

Logic Level Gate

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Continuous Drain Current Id

7.6A

Input Capacitance Ciss Max Vds

630pF @ 15V

ECCN Kodu

EAR99

Parça Durumu

Active

Feedback Capmax Crss

105 pF

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Montaj Tipi

Surface Mount

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Power Dissipation

2W

Gate Charge Qg Max Vgs

12.5nC @ 10V

Montaj

Surface Mount

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Gate To Source Voltage Vgs

12V

Kurşunsuz Kodu

yes

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Vgsth Max Id

1.1V @ 250μA

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Terminal Sayısı

8

Fet Type

2 N-Channel (Dual)

Fabrika Tedarik Süresi

18 Weeks

Yayın Yılı

2010

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Transistor Application

SWITCHING

Number Of Elements

2

Rds On Max Id Vgs

23m Ω @ 7.6A, 10V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Drain To Source Voltage Vdss

20V