ATF-521P8-TR1

Teknik Özellikler

Pin Sayısı

8

Configuration

SINGLE

Noise Figure

1.5dB

Voltage Rated Dc

4.5V

Case Connection

SOURCE

Montaj

Surface Mount

Yayın Yılı

2014

Kılıf / Paket

8-WFDFN Exposed Pad

Parça Durumu

Obsolete

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Power Output

26.5dBm

JESD-609 Kodu

e3

Transistor Type

pHEMT FET

Number Of Elements

1

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Gain

17 dB

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Akım Değeri

200 mA

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Ds Breakdown Voltagemin

7V

Radyasyon Dayanımı

No

Power Dissipation

1.5 W

Voltage Rating Dc

4.5 V

Transistor Application

AMPLIFIER

Current Test

200mA

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Terminal Sayısı

8

Terminal Pozisyonu

DUAL

ECCN Kodu

EAR99

Gate To Source Voltage Vgs

1V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Max Power Dissipation

1.5W

Fet Technology

HIGH ELECTRON MOBILITY

Drain To Source Voltage Vdss

7 V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Jedec95 Code

MO-229

Min. Çalışma Sıcaklığı

-65°C

Frekans

2GHz

Continuous Drain Current Id

500 mA