Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Minimum Operating Temperature
- - 65 C
- Ambalaj
- Tray
- Operating Frequency
- 30 MHz
- Emitter Base Voltage Vebo
- 4 V
- Ürün Tipi
- RF Bipolar Transistors
- Pd Power Dissipation
- 330 W
- Kılıf / Paket
- M177
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- + 200 C
- Transistor Type
- Bipolar Power
- Continuous Collector Current
- 40 A
- Collector Emitter Voltage Vceo Max
- 55 V
- Technology
- Si
- Fabrika Paket Adedi
- 1
- Tip
- RF Bipolar Power
- Birim Ağırlık
- 0.723969 oz
- Transistor Polarity
- NPN
- Montaj Stili
- Screw Mount
- Dc Collectorbase Gain Hfe Min
- 15
- RoHS
- Compliant
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors