Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Continuous Collector Current
- 20 A
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- + 200 C
- Transistor Type
- Bipolar Power
- Transistor Polarity
- NPN
- Emitter Base Voltage Vebo
- 4 V
- Montaj Stili
- Screw Mount
- Kılıf / Paket
- M111
- Collector Emitter Voltage Vceo Max
- 35 V
- Technology
- Si
- Fabrika Paket Adedi
- 1
- Tip
- RF Bipolar Power
- Operating Frequency
- 175 MHz
- Pd Power Dissipation
- 270 W
- Ürün Tipi
- RF Bipolar Transistors
- Minimum Operating Temperature
- - 65 C
- Ambalaj
- Tray
- RoHS
- Details
- Dc Collectorbase Gain Hfe Min
- 20
- Birim Ağırlık
- 1.304431 oz
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors