Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Transistor Type
- Bipolar
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- + 200 C
- Continuous Collector Current
- 20 A
- Collector Emitter Voltage Vceo Max
- 35 V
- Montaj Stili
- Through Hole
- Transistor Polarity
- NPN
- Emitter Base Voltage Vebo
- 4 V
- Kılıf / Paket
- FLG-4
- Pd Power Dissipation
- 270 W
- Operating Frequency
- 30 MHz
- Ürün Tipi
- RF Bipolar Transistors
- Fabrika Paket Adedi
- 1
- Technology
- Si
- RoHS
- Details
- Dc Collectorbase Gain Hfe Min
- 10
- Minimum Operating Temperature
- - 65 C
- Configuration
- Single
- Maximum Dc Collector Current
- 20 A
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors