Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- + 200 C
- Montaj Stili
- Through Hole
- RoHS
- Details
- Ambalaj
- Tray
- Ürün Tipi
- RF Bipolar Transistors
- Technology
- Si
- Dc Collectorbase Gain Hfe Min
- 35
- Continuous Collector Current
- 1 A
- Minimum Operating Temperature
- - 65 C
- Collector Emitter Voltage Vceo Max
- 18 V
- Transistor Type
- Bipolar Power
- Emitter Base Voltage Vebo
- 4 V
- Birim Ağırlık
- 1.384415 oz
- Transistor Polarity
- NPN
- Pd Power Dissipation
- 10 W
- Kılıf / Paket
- M135
- Tip
- RF Bipolar Power
- Operating Frequency
- 150 MHz
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors