Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Transistor Polarity
- NPN
- RoHS
- Details
- Dc Collectorbase Gain Hfe Min
- 30
- Ambalaj
- Tray
- Transistor Type
- Bipolar Power
- Emitter Base Voltage Vebo
- 3 V
- Birim Ağırlık
- 0.019048 oz
- Technology
- Si
- Fabrika Paket Adedi
- 1
- Montaj Stili
- SMD/SMT
- Tip
- RF Bipolar Power
- Minimum Operating Temperature
- - 65 C
- Operating Frequency
- 800 MHz
- Ürün Tipi
- RF Bipolar Transistors
- Collector Emitter Voltage Vceo Max
- 16 V
- Kılıf / Paket
- SOIC-8
- Pd Power Dissipation
- 2.2 W
- Continuous Collector Current
- 200 mA
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- + 200 C
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors