Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Operating Frequency
- 512 MHz
- Ihs Manufacturer
- NEW JERSEY SEMICONDUCTOR PRODUCTS INC
- Üretici Parça No
- MRF652S
- Pd Power Dissipation
- 25 W
- Collector Emitter Voltage Vceo Max
- 16 V
- RoHS
- Details
- Technology
- Si
- Risk Rank
- 5.58
- Continuous Collector Current
- 2 A
- Kılıf / Paket
- 249-06
- Part Life Cycle Code
- Active
- Ambalaj
- Tray
- REACH Uyumluluk Kodu
- unknown
- Montaj Stili
- SMD/SMT
- Emitter Base Voltage Vebo
- 4 V
- Tip
- RF Bipolar Power
- Ürün Tipi
- RF Bipolar Transistors
- Transistor Polarity
- NPN
- Minimum Operating Temperature
- - 65 C
- Dc Collectorbase Gain Hfe Min
- 10
- Transistor Type
- Bipolar Power
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- + 200 C
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors