Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -65°C
- Element Configuration
- Single
- Max Power Dissipation
- 290W
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 50V
- Montaj Tipi
- Chassis Mount
- Technology
- Si
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 50V
- Parça Durumu
- Active
- RoHS
- Details
- Fabrika Tedarik Süresi
- 20 Weeks
- Power Dissipation
- 290W
- ECCN Kodu
- EAR99
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Collector Base Voltage Vcbo
- 100V
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 10 @ 5A 10V
- Frekans
- 30MHz
- Gain
- 14dB
- Transistor Type
- NPN
- Output Power
- 220 W
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Pin Sayısı
- 4
- Hfemin
- 10
- Pin Sayısı
- 4
- Polaritychannel Type
- NPN
- Transistor Application
- AMPLIFIER
- Montaj
- Chassis Mount, Screw
- Ürün Tipi
- RF Bipolar Transistors
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 150°C
- Yayın Yılı
- 2001
- Emitter Base Voltage Vebo
- 4V
- Number Of Elements
- 1
- Ambalaj
- Tray
- Terminal Pozisyonu
- RADIAL
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Terminal Formu
- FLAT
- Max Collector Current
- 16A
- Continuous Collector Current
- 16A
- Terminal Sayısı
- 4
- Kılıf / Paket
- 211-11, Style 2
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors