Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Operating Temperaturemax
- 150 °C
- Ihs Manufacturer
- ASI SEMICONDUCTOR INC
- Collector Emitter Voltage Vceo Max
- 30 V
- Power Dissipationmax Abs
- 1 W
- Technology
- Si
- Risk Rank
- 1.57
- Yüzey Montaj
- YES
- Montaj Stili
- SMD/SMT
- Fabrika Paket Adedi
- 100
- Package Style
- SMALL OUTLINE
- Emitter Base Voltage Vebo
- 3.5 V
- Package Description
- SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
- Terminal Formu
- GULL WING
- Part Life Cycle Code
- Active
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- + 200 C
- Highest Frequency Band
- VERY HIGH FREQUENCY BAND
- Ürün Tipi
- RF Bipolar Transistors
- Dc Current Gainmin Hfe
- 5
- Dc Collectorbase Gain Hfe Min
- 5
- Üretici Parça No
- MRF3866
- Pd Power Dissipation
- 1 W
- Operating Frequency
- 200 MHz
- Configuration
- Single
- ECCN Kodu
- EAR99
- Collectoremitter Voltagemax
- 30 V
- Birim Ağırlık
- 0.019048 oz
- Transistor Element Material
- SILICON
- RoHS
- Details
- Transition Frequencynom Ft
- 800 MHz
- Ambalaj
- Bulk
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G8
- REACH Uyumluluk Kodu
- unknown
- Tip
- RF Bipolar Small Signal
- Continuous Collector Current
- 400 mA
- Number Of Terminals
- 8
- Kılıf / Paket
- SOIC-8
- Transistor Type
- Bipolar
- Collectorbase Capacitancemax
- 3 pF
- Transistor Application
- AMPLIFIER
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors

