Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Transistor Type
- Bipolar Power
- Risk Rank
- 5.6
- Polaritychannel Type
- NPN
- Transistor Polarity
- NPN
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- + 200 C
- RoHS
- Details
- Collector Currentmax Ic
- 2.5 A
- Emitter Base Voltage Vebo
- 4 V
- Configuration
- Single
- Ambalaj
- Tray
- Kılıf / Paket
- 211-07
- Dc Collectorbase Gain Hfe Min
- 5
- Tip
- RF Bipolar Power
- Operating Frequency
- 175 MHz
- Minimum Operating Temperature
- - 65 C
- Collector Emitter Voltage Vceo Max
- 18 V
- REACH Uyumluluk Kodu
- unknown
- Package Description
- ,
- Üretici Parça No
- MRF221
- Pd Power Dissipation
- 31 W
- Operating Temperaturemax
- 175 °C
- Part Life Cycle Code
- Active
- Transition Frequencynom Ft
- 175 MHz
- Power Dissipationmax Abs
- 31 W
- Technology
- Si
- Yüzey Montaj
- NO
- Continuous Collector Current
- 2.5 A
- Ihs Manufacturer
- ASI SEMICONDUCTOR INC
- Ürün Tipi
- RF Bipolar Transistors
- Montaj Stili
- Screw Mount
- Dc Current Gainmin Hfe
- 5
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors