Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Çalışma Sıcaklığı
- -65°C ~ 175°C
- Pd Power Dissipation
- 7 W
- Terminal Sayısı
- 2
- Minimum Operating Temperature
- - 65 C
- Güç (Watt)
- 0.125W, 1/8W
- Collector Emitter Voltage Vceo Max
- 20 V
- Boyut / Ölçü
- 0.094 Dia x 0.250 L (2.39mm x 6.35mm)
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- Axial
- Failure Rate
- S (0.001%)
- Direnç
- 8.35 kOhms
- Operating Frequency
- 1090 MHz
- Tip
- RF Bipolar Power
- Montaj Stili
- SMD/SMT
- Ürün Tipi
- RF Bipolar Transistors
- Tolerans
- ±0.5%
- Technology
- Si
- Continuous Collector Current
- 250 mA
- Composition
- Metal Film
- Özellikler
- Military, Moisture Resistant, Weldable
- Temperature Coefficient
- ±25ppm/°C
- RoHS
- Details
- Transistor Type
- Bipolar Power
- Transistor Polarity
- NPN
- Seri
- Military, MIL-PRF-55182/01, RNC55
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- + 200 C
- Kılıf / Paket
- Axial
- Dc Collectorbase Gain Hfe Min
- 10
- Ambalaj
- Bulk
- Parça Durumu
- Active
- Emitter Base Voltage Vebo
- 3.5 V
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors