Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Terminal Sayısı
- 2
- Dc Collectorbase Gain Hfe Min
- 15
- Direnç
- 1.5 Ohms
- Boyut / Ölçü
- 0.085 Dia x 0.250 L (2.16mm x 6.35mm)
- RoHS
- Details
- Emitter Base Voltage Vebo
- 4 V
- Collector Emitter Voltage Vceo Max
- 55 V
- Ürün Tipi
- RF Bipolar Transistors
- Pd Power Dissipation
- 233 W
- Tip
- RF Bipolar Power
- Tolerans
- ±1%
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Failure Rate
- S (0.001%)
- Maximum Dc Collector Current
- 20 A
- Kılıf / Paket
- Axial
- Transistor Polarity
- NPN
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- + 200 C
- Seri
- Military, MIL-PRF-39007, RWR81S
- Temperature Coefficient
- ±50ppm/°C
- Özellikler
- Military, Moisture Resistant
- Parça Durumu
- Active
- Technology
- Si
- Montaj Stili
- Through Hole
- Transistor Type
- Bipolar Power
- Minimum Operating Temperature
- - 55 C
- Güç (Watt)
- 1W
- Operating Frequency
- 28 MHz
- Çalışma Sıcaklığı
- -55°C ~ 250°C
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- Axial
- Continuous Collector Current
- 10 A
- Composition
- Wirewound
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors