Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Dc Collectorbase Gain Hfe Min
- 10
- RoHS
- Non-Compliant
- Emitter Base Voltage Vebo
- 4 V
- Technology
- Si
- Montaj Stili
- Through Hole
- Transistor Type
- Bipolar Power
- Ambalaj
- Tray
- Maximum Dc Collector Current
- 9 A
- Collector Emitter Voltage Vceo Max
- 36 V
- Pd Power Dissipation
- 73 W
- Minimum Operating Temperature
- - 65 C
- Ürün Tipi
- RF Bipolar Transistors
- Tip
- RF Bipolar Power
- Fabrika Paket Adedi
- 1
- Operating Frequency
- 28 MHz
- Continuous Collector Current
- 3 A
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- + 200 C
- Transistor Polarity
- NPN
- Kılıf / Paket
- SOT-120
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors